High-Speed Electron Devices Using Advanced Structures and Materials

Journal Papers

1.K. Urayama, S. Aoki, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama,”Sub- Terahertz resonant Tunneling Diode Oscillators Integrated with tapered Slot Antennas for Horizontal Radiation”, Appl. Phys. Exp.,vol. 2, 044501, 2009.

2.浅田雅洋、「電子デバイスによるテラヘルツ光源」、KEC情報, No.209, pp.17-22, 2009.

M. Asada, “Terahertz Sources Using Electron Devices”, KEC JOHO, No. 209, pp.17-22, 2009.

3.S. Suzuki, A. Teranishi, K. Hinata, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Fundamental Oscillation of up to 831 GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diode”, Appl. Phys. Exp., vol.2, 054501, 2009.

4.K. Furuya, O. Numakami, N. Yagi, S. Hori, T. Sugaya, K. Komori,M. Mori,Y. Okano, H. Muguruma, and M. Asada, “Analysis of Terahertz Oscillator Using Negative Differential ResistanceDual-Channel Transistor and Integrated Antenna”, Jpn. J. Appl. Phys., vol.48, 04C146, 2009.

5.M. Shiraishi, S. Suzuki, A. Teranishi, M. Asada,H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Fundamental Oscillation of up to 915 GHz in Small-Area InGaAs/AlAsResonant Tunneling Diodes with Planar Slot Antennas”, Jpn. J. Appl. Phys., vol.49, 020211, 2010.

6.K. Karashima, R. Yokoyama, M. Shiraishi, S. Suzuki, S. Aoki, and M. Asada, “Measurement of Oscillation Frequency and Spectral Linewidth of Sub-TerahertzInP-Based Resonant Tunneling Diode Oscillators Using Ni–InP Schottky Barrier Diode”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 49, 020208, 2010.

7.K. Hinata, M. Shiraishi, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Sub-Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillators with High Output Power(~200W)Using Offset-Fed Slot Antenna and High Current Density”, Appl. Phys. Express vol.3, 014001, 2010.

International Conferences

  1. S. Suzuki, K. Urayama, S. Aoki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Sub-Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillators Integrated withTapered Slot Antennas for Horizontal Radiation”, Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM’09), FrB-2, Nagano, Japan, Aug. 20, 2009.
  2. K. Furuya, O.Numakami, T. Sugaya, N.Yagi, K. Komori, M. Mori, Y. Okano, and M.Asada, “Analysis of antenna integrated NDR-DCT oscillatorfor variable oscillation frequency in THz band”, Int. Conf. Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Th-mP16, Kobe, Japan, July 23, 2009.
  3. R.Yokoyama, K.Karashima, M.Shiraishi, S.Suzuki, S.Aoki and M.Asada, “Detection of Output Power from Sub-THz InP-Based ResonantTunneling Diode Oscillator Using Ni-InP Schottky Barrier Diode”, Int. Conf. Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2009), T5E07, Busan, Korea, Sept. 22, 2009.
  4. K. Hinata, M. Shiraishi, S. Suzuki and M. Asada, ”High Power THz Oscillators with Offset-fed Slot Antenna and HighCurrent Density Resonant Tunneling Diodes”, Int. Conf. Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2009), T5E05, Busan, Korea, Sept. 22, 2009.
  5. M.Shiraishi, S.Suzuki, A.Teranishi, M.Asada, H.Sugiyama, and H.Yokoyama, “Fundamental Oscillation up to 915GHz in InGaAs/AlAs ResonantTunneling Diodes Integrated with Slot Antennas”, Int. Conf. Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2009), T5E01, Busan, Korea, Sept. 22, 2009.
  6. S. Suzuki, A.Teranishi, K. Hinata, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Frequency Switching with Bias Polarity in Resonant Tunneling DiodesOscillating at Around 600GHz”, Int. Conf. Optical Terahertz Science and Technology (OTST2009), SuE1, Santa Barbara/CA, USA, Mar. 8, 2009.
  7. S. Suzuki, A.Teranishi, K. Hinata, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Fundamental Oscillation up to 831 GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diode”, Int. Conf. Indium Phosphide and Related Compounds (IPRM2009), WA1-3, Newport Beach/CA, USA, May 12, 2009.
  8. H. Sugiyama, H. Yokoyama, N. Shigekawa, T. Enoki,A. Teranishi, S. Suzuki, and M. Asada, “Ultra-Thin InAlP/InGaAs Heterojunctions Grownby Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy”, Int. Conf. Indium Phosphide and Related Compounds (IPRM2009), WB1-4, Newport Beach/CA, USA, May 13, 2009.
  9. M. Asada and S. Suzuki, “Resonant Tunneling Diodes for Terahertz Oscillators at Room Temperature” (Invited), Int. Workshop on Terahertz Technology, 2I-C6, Osaka, Japan, Dec. 2, 2009.
  10. K. Sawada, S. Suzuki, A. Teranishi, M. Shiraishi, and M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Resonant Tunneling Diodes Oscillating at Around 900 GHz with Spike DopingStructures for Low Bias Voltage Operation”, Int. Workshop on Terahertz Technology, 1P-15, Osaka, Japan, Dec. 1, 2009.
  11. K. Furuya, O.Numakami, T. Sugaya, K. Komori, M. Mori, Y. Okano and M.Asada, “Theoretical Study of Antenna Integrated NDR-DCT Oscillator for Variable Oscillation Frequency in THz Band”, Int. Workshop on Terahertz Technology, 2P-32, Osaka, Japan, Dec. 1, 2009.

Domestic Conferences

  1. 鈴木左文、寺西豊志、日向健介、浅田雅洋、杉山弘樹、横山春喜、「GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの831GHz基本波発振」、応用物理学会講演会、31a-P6-3、つくば、2009年3月31日.

S. Suzuki, A. Teranishi, K. Hinata, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Fundamental Oscillation upto 831 GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes”Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 31a-P6-3, Mar. 31, 2009, Tsukuba, Japan.

  1. 日向健介、鈴木左文、白石誠人、浅田雅洋、「オフセット給電スロットアンテナと高電流密度RTD によるテラヘルツ発振器の高出力化」、応用物理学会講演会、31a-P6-7、つくば、2009年3月31日.

K. Hinata, S. Suzuki, M. Shiraishi, and M. Asada, "High Power THz Oscillator with High Current Density RTD and Offset-Fed Slot Antenna", Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 31a-P6-7, Mar. 31, 2009, Tsukuba, Japan.

  1. 杉山弘樹、横山春喜、重川直輝、榎木孝知、寺西豊志、鈴木左文、浅田雅洋、「超薄層InAlP/InGaAsヘテロ接合のMOVPE成長」、応用物理学会講演会、2p-J-1、つくば、2009年4月2日.

H. Sugiyama, H. Yokoyama, N. Shigekawa, T. Enoki, A. Teranishi, S. Suzuki, and M. Asada, "Ultra-Thin InAlP/InGaAs Heterojunctions Grown by MOVPE", Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 2p-J-1, Apr. 2, 2009, Tsukuba, Japan.

  1. 沼上 理、古屋克己、八木のぞみ、菅谷武芳、小森和弘、森雅彦、岡野好伸、浅田雅洋、「負性抵抗デュアルチャネルトランジスタを用いたアンテナ一体型テラヘルツ発振素子の発振周波数制御」、応用物理学会講演会、31a-P6-4、つくば、2009年3月31日.

O. Numakami，K. Furuya，N. Yagi，T. Sugaya，K. Komori，M. Mori，Y. Okano，and M. Asada, "Oscillation Frequency Control of Antenna Integrated Design TerahertzOscillation Device That Uses NDR-DCT", Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 31a-P6-4, Mar. 31, 2009, Tsukuba, Japan.

  1. 杉山弘樹、横山春喜、重川直輝、榎木孝知、寺西豊志、鈴木左文、浅田雅洋、「超薄層InAlP/InGaAsヘテロ接合のMOVPE成長と超高速電子デバイスへの応用」、電気学会、電子・情報・システム部門大会（More Moore More than Moore における化合物半導体電子デバイス）、徳島、2009年9月3日.

H. Sugiyama, H. Yokoyama, N. Shigekawa, T. Enoki, A. Teranishi, S. Suzuki, and M. Asada, ”MOVPE Growth of Ultra-Thin InAlP/InGaAs Heterojunctions and Application to Ultra-High Speed Electron Devices”, Nat. Conv. Rec., IEE of Japan (Special Session on Compound Semiconductor Electron Devices for More Moore More than Moore), Sept. 3, 2009, Tokushima, Japan.

  1. 鈴木左文、寺西豊志、日向健介、浅田雅洋、杉山弘樹、横山春喜、「GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの831GHz基本波発振」(講演奨励賞記念講演) 応用物理学会講演会、9a-M-1、富山、2009年9月9日.

S. Suzuki, A. Teranishi, K. Hinata, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Fundamental Oscillation up to 831 GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diode” (Invited, Commemorative Lecture of Incentive Award), Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 9a-M-1, Sept. 9, 2009, Toyama, Japan.

  1. 白石誠人、鈴木左文、寺西豊志、浅田雅洋、杉山弘樹、横山春喜、「GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの面積縮小化による915GHzの基本波発振」、応用物理学会講演会、9a-M-2、富山、2009年9月9日.

M. Shiraishi, S. Suzuki, A. Teranishi, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Fundamental Oscillation up to 915 GHz in Reduced-Area GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes”, Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 9a-M-2, Sept. 9, 2009, Toyama, Japan.

  1. 鈴木左文、浦山健太、青木慧俊、浅田雅洋、杉山弘樹、横山春喜、「水平放射用テーパードスロットアンテナを集積した共鳴トンネルダイオードサブテラヘルツ発振素子」、応用物理学会講演会、9a-M-5、富山、2009年9月9日.

S. Suzuki, K. Urayama, S. Aoki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Sub-Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillators Integrated with Tapered Slot Antennas for Horizontal Radiation”, Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 9a-M-5, Sept. 9, 2009, Toyama, Japan.

  1. 辛島宏一、白石誠人、日向健介、鈴木左文、浅田雅洋、「Ni-InPショットキーバリアダイオードによる550GHz 共鳴トンネルダイオード出力のヘテロダイン検出」、応用物理学会講演会、9a-M-9、富山、2009年9月9日.

K. Karashima, M. Shiraishi, K. Hinata, S. Suzuki, and M. Asada, “Heterodyne Detection of Output Power from 550GHz Resonant Tunneling Diode Using Ni-InP Schottky Barrier Diode”, Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 9a-M-9, Sept. 9, 2009, Toyama, Japan.

  1. 浅田雅洋、「共鳴トンネルダイオードによるサブTHz～THz室温発振器」（招待講演）、応用物理学会光センシング研究会、No.5、東京、2009年6月9日.

M. Asada, “Subterahertz-Terahertz Room-Temperature Oscillatorswith Resonant Tunneling Diodes” (Invited),Japan. Appl. Phys. Soc., Light Sensing Technology Meeting, No.5, June 9, 2009, Tokyo, Japan.

  1. 鈴木左文浅田雅洋、「共鳴トンネルダイオードを用いた室温テラヘルツ発振器」(招待講演)、応用物理学会応用電子物性分科会、No.3、東京、2010年1月29日.

S. Suzuki and M. Asada, “Resonant Tunneling Diodes for Terahertz Oscillators at Room Temperature” (invited), Japan. Appl. Phys. Soc., Applied SolidState Physics Division, No.3, Jan. 29, 2010, Tokyo,Japan.

  1. 浅田雅洋、鈴木左文、「高周波化・高出力化・高機能化を目指した共鳴トンネルダイオード室温THz発振器」（招待講演）、応用物理学会テラヘルツ電磁波技術研究会および電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティテラヘルツ応用システム時限研究会合同研究討論会、仙台秋保、2010年2月26日．

M. Asada and S. Suzuki, “Resonant Tunneling Diode Oscillators in the Terahertz Range at Room Temperaturetoward High Frequency, High Output Power, and HighFunctionality” (Invited), Joint Technical Meeting of Japan. Appl. Phys. Soc., THz Tech. Meeting & IEICE of Japan, THz Applied System Meeting, Feb. 26, 2010, Sendai-Akiu, Japan.

  1. 辛島宏一、白石誠人、鈴木左文、浅田雅洋、関根徳彦、寶迫巌、「共鳴トンネルダイオード発振素子の直接周波数変調とInPショットキーバリアダイオードによる検出」、応用物理学会講演会、18a-M-4、平塚、2010年3月18日発表予定.

K. Karashima, M. Shiraishi, S. Suzuki, M. Asada, N. Sekine, and I. Hosako, “Direct Frequency Modulation of Resonant Tunneling Diode Oscillator andIts Detection with InP Schottky Barrier Diode”, to be presented at Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 18a-M-4, Mar. 18, 2010, Hiratsuka, Japan.

  1. 鈴木左文、寺西豊志、浅田雅洋、杉山弘樹、横山春喜、「薄膜バリアによりトンネル時間を短縮した共鳴トンネルダイオードによる基本波発振周波数向上」、応用物理学会講演会、18a-M-5、平塚、2010年3月18日発表予定.

S. Suzuki, A. Teranishi, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Increase of Fundamental Oscillation Frequency in Resonant Tunneling Diode with Thin Barrier Structure for Reduction of Tunneling Time”, to be presented at Nat. Conv. Rec., Japan. Appl. Phys. Soc., 18a-M-5, Mar. 18, 2010, Hiratsuka, Japan.

Meeting Reports

1.鈴木左文、寺西豊志、日向健介、浅田雅洋、杉山弘樹、横山春喜、「共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ～テラヘルツ発振器」、電気学会電子デバイス研究会、EDD-09-42、2009年3月9日、熱海.

S. Suzuki, A. Teranishi, K. Hinata, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Sub-Terahertz – Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode”, Electron Devices Meeting, IEE of Japan, EDD-09-42, Mar. 9, 2009, Atami, Japan.

2.鈴木左文、日向健介、白石誠人、澤田清仁、浅田雅洋、杉山弘樹、横山春喜、「共鳴トンネルダイオードを用いたサブテラヘルツ－テラヘルツ帯発振素子」、電気学会シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会、No.1、2009年7月15日、東京.

S.Suzuki, K. Hinata, M. Shiraishi, K. Sawada, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama, “Sub-Terahertz – Terahertz Oscillating resonant Tunneling Diode”, Tech. Rep., Silicon Nanodevice Integration Technology, IEE of Japan, No.1, July 15, 2009, Tokyo, Japan.

3.澤田清仁、鈴木左文、寺西豊志、白石誠人、浅田雅洋、杉山弘樹、横山春喜、「スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ（0.8-0.9THz）発振器」、電子情報通信学会、電子デバイス研究会、No.7、2009年11月30日、大阪.

K. Sawada,S. Suzuki,A. Teranishi,M. Shiraishi, M. Asada,H. Sugiyama,and H. Yokoyama, “Resonant Tunneling Diode Terahertz (0.8-0.9THz) Oscillatorswith Spike Doping for Low Voltage Operation”, Tech. Rep., Electron Device Meeting, IEICE of Japan, No.7, Nov. 30, 2009, Osaka, Japan.